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厂商型号

SBCP56-10T1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR NPN 80V

内部编号

277-SBCP56-10T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1
1+¥2.6667
10+¥2.2223
100+¥1.3539
1000+¥1.0462
2000+¥0.8889
10000+¥0.8274
25000+¥0.7863
50000+¥0.7521
100000+¥0.7248
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:1000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBCP56-10T1G产品详细规格

规格书 SBCP56-10T1G datasheet 规格书
BCP/SBCP56 Series
SBCP56-10T1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 25@5mA@2V|63@150mA@2V|25@500mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -65
最大功率耗散 1500
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 130(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 SOT-223
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 1,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 130 MHz
直流电流增益hFE最大值 160 at 150 mA at 2 V
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
安装风格 SMD/SMT
最高工作温度 + 150 C
品牌 ON Semiconductor
封装/外壳 SOT-223-4
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 65 C
Pd - Power Dissipation 1.5 W
集电极最大直流电流 1 A
配置 Single
技术 Si
直流集电极/增益hfe最小值 63 at 150 mA at 2 V
RoHS RoHS Compliant

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